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RTX 50系列GPU将采用台积电3nm工艺,英伟达为其配备DP 2.1接口

目前英伟达基于Ada Lovelace架构的GeForce RTX 40系列GPU不支持DisplayPort 2.1和PCIe 5.0等关键技术,部分用户认为英伟达在一些策略上似乎有点显得有些过于保守。

近日有网友透露,基于Blackwell架构的GeForce RTX 50系列GPU将改用台积电(TSMC)3nm工艺制造。按照台积电过去的说法,比起现有的5nm制程节点,在相同功耗和晶体管数量情况下,3nm制程节点能带来15%的性能提升。

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图:已故美国统计学家和数学家David Harold Blackwell

GeForce RTX 50系列GPU另一项重要更新是支持DisplayPort 2.1,但暂时还不清楚具体是哪个标准。AMD已经在现有RDNA 3架构的Radeon RX 7000系列GPU上引入了对DisplayPort 2.1的支持,满足了UHBR13.5链接速率(54Gbps)的要求,如果是用于工作站的Radeon Pro W7000系列GPU,更是能支持UHBR20链路速率(80Gbps)。

此外,GeForce RTX 50系列GPU也将采用PCIe 5.0接口,同时会配备新款的“12V-2×6”连接器。“12V-2×6”是基于即将发布的CEM 5.1规范,尖端向内偏移量由之前的0.45mm改为1.7mm。相比于原有的设计,新的连接器缩短了感测引脚(定义瓦数的四个数据引脚),如果没有完全接入12VHPWR线缆,将被限制供电,以防止功率过高出现的过热熔化。

根据之前的说法,基于Blackwell架构的GeForce显卡将会有GB202、GB203、GB205、 GB206和GB207五款芯片,与以往最大的不同,是AD104之后没有GB204这款x04芯片,而是变成了x05的GB205。


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